近日，内蒙王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。
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网气务平韩国蔚山国立科技大学SangIlSeok团队发现用小的等摩尔量的铯和亚甲二铵阳离子取代甲脒根可以降低晶格应变和陷阱密度。1前言材料的革新对技术进步和产业发展具有非常重要的作用，象预线运行但是传统开发新材料的过程，都采用的试错法，实验步骤繁琐，研发周期长，浪费资源。
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